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J-GLOBAL ID：200903075896229783

ガス検知素子

Inventor： 福井 清
Applicant, Patent owner： 新コスモス電機株式会社
Agent (1)： 北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995263799
Publication number (International publication number)：1997105731
Application date： Oct. 12, 1995
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 アルコール除去をより確実に行い、誤検知の虞の少ないガス検知素子を提供する。【解決手段】 塩基性金属酸化物を含有する金属酸化物半導体を主成分としてなる感応部2を設け、前記感応部2を加熱する加熱手段1を設け、ガス検知に基づいて出力信号を得る検出電極1aを設けたガス検知素子において、前記感応部2に、シリカ(SiO2) 含有率が、アルミナ(Al2O3)含有率よりも高い合成H型ゼオライトを主成分としてなる被覆層3を設けてある。

Claim (excerpt)：

塩基性金属酸化物を添加してある金属酸化物半導体を主成分としてなる感応部(2)を設け、前記感応部(2)を加熱する加熱手段(1)を設け、ガス検知に基づいて出力信号を得る検出電極(1a)を設けたガス検知素子であって、前記感応部(2)に、シリカ(SiO2) 含有率が、アルミナ(Al2O3)含有率よりも高い合成H型ゼオライトを主成分としてなる被覆層(3)を設けたガス検知素子。

FI (2)：

G01N 27/12 C ,  G01N 27/12 B