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J-GLOBAL ID：200903075904262396
露光用マスク
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991323416
Publication number (International publication number)：1993158217
Application date： Dec. 06, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、エッジがシャープで高精度のパターン転写を行うことのできる露光用マスクを容易に提供することを目的とする。【構成】 本発明の露光用マスクでは、マスクパターンの少なくとも一部を位相シフタで構成し、この位相シフタのうち大面積パターンについてはパターンの内部は比較的大きなサイズの小パターンで構成するとともに、パターンエッジ近傍では小さなサイズのシフタパターンで構成するようにしている。この小パターンは碁盤目状パターンまたはストライプ状パターンとするのが望ましい。
Claim (excerpt)：
透光性基板と、前記透光性基板上に配設されたマスクパターンとを具備した露光用マスクにおいて、マスクパターンとして、露光光に対する光路長が異なるように構成されたいわゆる位相シフタとしての半透明膜パターンを含み、前記半透明膜パターンのうち、大面積パターンについてはパターンの内部領域は比較的大きなサイズの小シフタパターンで構成するとともに、パターンエッジ近傍では小さなサイズの微小シフタパターンで構成するようにしたことを特徴とする露光用マスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
