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J-GLOBAL ID：200903075914121839

半導体記憶装置

Inventor： 平山 誠二 ,  藤井 淳
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992192023
Publication number (International publication number)：1994037328
Application date： Jul. 20, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明はEPROMメモリセルで構成される半導体記憶装置に関し、読み出し時の動作安定性を損うことなく書き込み効率を向上した半導体記憶装置の実現を目的とする。【構成】 各メモリセルが、トランジスタ1と、トランジスタ1のチャンネルに近接して設けられ周囲からは絶縁されているフローティングゲート4と、フローティングゲート4に近接して設けられ、フローティングゲート4に容量的に結合されているコントロールゲートとを備えるEPROMメモリセルである半導体記憶装置において、各メモリセルは独立して制御可能な2個のコントロールゲート5,6を備えるように構成する。

Claim (excerpt)：

各メモリセルが、トランジスタ(1)と、該トランジスタ(1)のチャンネルに近接して設けられ、周囲からは絶縁されているフローティングゲート(4)と、該フローティングゲート(4)に近接して設けられ、該フローティングゲート(4)に容量的に結合されているコントロールゲートとを備えるEPROMメモリである半導体記憶装置において、各メモリセルは、独立して制御可能な2個のコントロールゲート(5,6)を備えることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434