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J-GLOBAL ID：200903075915902621

導電性薄膜の形成方法及びその装置、並びに半導体装置の製造方法

Inventor： 山根 千種
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997354933
Publication number (International publication number)：1999186196
Application date： Dec. 24, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 CVD法に基づき金属塩化物ガスを原料ガスとして金属薄膜を成膜するに際し、この金属薄膜中の塩素原子の残留を抑制できる導電性薄膜の形成方法及びその製造装置、並びに半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 金属塩化物ガスからなる原料ガスを用い、CVD法に基づいて第1の金属薄膜4を形成する第1工程と、酸化作用を有するガス5を用いて第1の金属薄膜4を酸化処理する第2工程とを有する、導電性薄膜の形成方法及びその装置。並びに半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

ハロゲン原子含有ガスを用いて金属薄膜を形成する第1工程と、酸化作用を有するガスを用いて前記金属薄膜を酸化処理する第2工程とを有する、導電性薄膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/90 C