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J-GLOBAL ID：200903075923324793
量子細線の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
蔵合 正博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992077810
Publication number (International publication number)：1993283812
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】 可視光半導体レーザ等に使用されるAlGaInP系の結晶において、GaAs基板上にこの系からなる量子細線をエッチングにより作製する。【構成】 GaAs(001)基板10上に、(Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>)<SB>y </SB>In<SB>1-y</SB>P(0<x≦1,y〜0.5)からなるウェル層12と、これよりも大きなエネルギーギャップを持つ(Al<SB>x'</SB>Ga<SB>1-x'</SB>)<SB>y'</SB>In<SB>1-y'</SB>P(0<x’≦1,y’〜0.5)からなる上下のバリア層11,13と、さらにその上にGa<SB>z </SB>In<SB>1-z</SB>P(z〜0.5)エピ層14を形成した単一または多重量子井戸構造を備え、初めにエピ層14の上にレジスト層15を形成し、これを露光現象除去処理してマスクを作り、次にエピ層14を<011>方向にストライプ状にエッチング除去した後、残ったエピ層14マスクとして硫酸または硫酸と水からなるエッチング液によってウェル層12およびバリア層11,13をストライプ状に除去する。
Claim (excerpt)：
GaAs(001)基板上に、(Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>)<SB>y </SB>In<SB>1-y</SB>P(0<x≦1,y〜0.5)からなるウェル層と、前記ウェル層よりも大きなエネルギーギャップを持つ(Al<SB>x'</SB>Ga<SB>1-x'</SB>)<SB>y'</SB>In<SB>1-y'</SB>P(0<x’≦1,y’〜0.5)からなるバリア層とで構成され、さらにその上にGa<SB>z </SB>In<SB>1-z </SB>P(z〜0.5)エピタキシャル層を形成した単一量子井戸構造を備え、初めにGa<SB>z </SB>In<SB>1-z </SB>Pエピタキシャル層を<011>方向にストライプ状にエッチング除去した後、残ったGa<SB>z </SB>In<SB>1-z </SB>Pエピタキシャル層をマスクとして硫酸または硫酸と水からなるエッチング液によって前記ウェル層およびバリア層をストライプ状に除去することを含む量子細線の製造方法。
IPC (2)：
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