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J-GLOBAL ID：200903075927337393

半導体装置作製方法

Inventor： 張 宏勇 ,  高山 徹 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994131414
Publication number (International publication number)：1995050255
Application date： May. 20, 1994
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 加熱アニールによる結晶成長の際の結晶成長方向を揃えることを目的とする。【構成】 基板101上の下地膜102上に設けられた珪素膜をSi+ の注入によって非晶質化し、加熱アニール工程において、結晶化を助長する触媒であるニッケルが導入された領域100から基板に平行な方向に結晶化をさせる。

Claim (excerpt)：

基板上に非単結晶半導体膜を形成する工程と、該工程の前または後において、選択的に金属元素を導入する工程と、前記半導体膜に対して、不活性な元素のイオンを注入し、前記半導体膜、および前記基板、および前記基板と前記半導体膜との界面近傍を非晶質化する工程と、加熱を行い、前記半導体膜を結晶化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 311 Y