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J-GLOBAL ID:200903075927438955
半導体マイクロマシン及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高橋 祥泰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997022037
Publication number (International publication number):1998209471
Application date: Jan. 20, 1997
Publication date: Aug. 07, 1998
Summary:
【要約】【課題】 エッチング層からのドーパント拡散によって,可動部内の絶縁領域にドーパントがドーピングされることはなく,可動部内の絶縁領域を確実に確保することができる,半導体マイクロマシン及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 基板12に対してエッチング層55,拡散抑制層50,半導体薄膜57を形成し,該半導体薄膜57に不純物を選択ドーピングし,そしてこれをパターニングして,少なくともエッチング液導入用の導入孔と,複数の電極または配線及び電気的絶縁領域を有する可動部と針状体とを形成し,その後,エッチング液を用いて,上記エッチング層55を除去することにより,上記間隙部を形成すると共に上記半導体薄膜57を可動部として形成する。
Claim (excerpt):
基板と,該基板に間隙部を設けて対向配置されると共に,針状体によって支持された半導体薄膜からなる可動部とを有すると共に,上記可動部内には複数の電極または配線を設けてあり,かつ,これらの間には電気的絶縁領域が設けてなる半導体マイクロマシンの製造方法において,上記基板に対してエッチング層を形成する第一工程と,上記エッチング層に拡散抑制層を形成する第二工程と,上記拡散抑制層に半導体薄膜を形成する第三工程と,上記半導体薄膜にドーパントを選択ドーピングする第四工程と,フォトリソエッチングで上記半導体薄膜をパターニングして,少なくともエッチング液導入用の導入孔と,複数の電極または配線及び電気的絶縁領域を有する可動部と,該可動部を支持する針状体とを形成する第五工程と,エッチング液を用いて,上記エッチング層を除去することにより,上記間隙部を形成すると共に上記半導体薄膜を可動部として形成する第六工程とを有すること特徴とする半導体マイクロマシンの製造方法。
IPC (3):
H01L 29/84
, G01P 9/04
, G01C 19/56
FI (3):
H01L 29/84 Z
, G01P 9/04
, G01C 19/56
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