量子井戸構造を有する化合物半導体層の成長方法及び化合物半導体薄膜積層構造の形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994023701
Publication number (International publication number)：1995094430
Application date： Jan. 26, 1994
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】量子井戸構造を有する化合物半導体層の結晶成長において限りなく急峻で平坦な界面を得ることができる化合物半導体成長方法を提供する。【構成】本発明の化合物半導体層の成長方法は、井戸層と障壁層から成る量子井戸構造を有する化合物半導体層を、有機金属気相成長法(MOCVD法)による化合物半導体のエピタキシャル成長によって基板上に成長させる方法であって、井戸層をエピタキシャル成長させた後、障壁層を形成するための原料の一部の供給を中断して、一定期間の間、障壁層のエピタキシャル成長を停止させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

井戸層と障壁層から成る量子井戸構造を有する化合物半導体層を有機金属気相成長法(MOCVD法)による化合物半導体のエピタキシャル成長によって基板上に成長させる方法であって、井戸層をエピタキシャル成長させた後、障壁層を形成するための原料の一部の供給を中断して、一定期間の間、障壁層のエピタキシャル成長を停止させることを特徴とする化合物半導体層の成長方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-032766 Applicant：京セラ株式会社
特開平3-070124
特開平4-369830

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