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J-GLOBAL ID：200903075938645332

メモリ素子

Inventor： 小林 浩 ,  大路 浩
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992240419
Publication number (International publication number)：1994089568
Application date： Sep. 09, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 不揮発性、大容量、高信頼性、低コストかつ高速のアクセスが可能なメモリ、その読出し方法および前記メモリの製法を提供する。【構成】 薄膜磁性体の磁化の向きによって情報を記録するメモリ素子が、少なくとも磁歪を有する磁性薄膜と前記薄膜に弾性的に結合できる程度に近接した位置に配置された圧電体薄膜とから構成されている。また、メモリは薄膜磁性体の磁化の向きによって情報を記録するメモリ素子を複数個有し、該メモリ素子の一つの記録単位が少なくとも磁歪を有する磁性薄膜と圧電体薄膜で構成されており、前記メモリ素子が行列状に配置され、電気的に連結されている。

Claim (excerpt)：

薄膜磁性体の磁化の向きによって情報を記録するメモリ素子であって、少なくとも磁歪を有する磁性薄膜と前記薄膜に弾性的に結合できる程度に近接した位置に配された圧電体薄膜とから構成されていることを特徴とするメモリ素子。