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J-GLOBAL ID：200903075939783453

エピタキシャル成長装置

Inventor：
飯島 照康

About 飯島 照康


Applicant, Patent owner：
コマツ電子金属株式会社

About コマツ電子金属株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994021859
Publication number (International publication number)：1995206586
Application date： Jan. 24, 1994
Publication date： Aug. 08, 1995
Summary：
【要約】【目的】 エピタキシャル成長装置において、ガスラインのメインテナンス終了後、低コストでの再稼動を可能とし、かつ再稼動後も高品質のエピタキシャルウェーハを得ることができるようにする。【構成】 反応チャンバ3を介さずに、ガス供給ライン1とガス排出ライン4とを直結するガスバイパスライン5を設け、このガスバイパスライン上にバルブ31,32を配設する。たとえばプロセスガスラインのメインテナンスの場合、プロセスガスの排出およびメインテナンス後の不純物排出に当たり、プロセスガスラインから前記ガスバイパスライン5を経由してガス排出ライン4にパージガスを流す。反応チャンバ3内へのガス流を遮断することによりパージガス使用量が少なくて済み、コストの低減と不純物排出時間の短縮ができる。また、反応チャンバ3および他のガスライン内に不純物が残留しないため、再稼働後も高品質のエピタキシャルウェーハを得ることができる。
Claim (excerpt)：
ガス供給ライン、反応チャンバ、ガス排出ラインを順次接続してなるエピタキシャル成長装置のガスラインにおいて、前記反応チャンバを介さずに、反応チャンバの直前および直後でガス供給ラインとガス排出ラインとを直結するガスバイパスラインを備え、このガスバイパスラインに少なくとも1個のバルブを設けたことを特徴とするエピタキシャル成長装置。
IPC (3)：
C30B 25/14 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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