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J-GLOBAL ID：200903075944511496

パワ-半導体デバイスの製造方法

Inventor： ダニエル レツニク ,  ハンス-ヨアヒム シュルツェ ,  エクハルト ウォルフガング
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999025927
Publication number (International publication number)：1999340246
Application date： Feb. 03, 1999
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 簡単に実行可能であり、かつ薄い基板の2つの互いに向き合っている表面に複雑な半導体構造を製造するのにも適しているパワー半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 第1のステップで導電性にドープされた半導体材料から成る2つの基板1のそれぞれ1つの表面に、ドープされた範囲2の構造が作られ、第2のステップで基板が反対側の表面から薄くされ、第3のステップでこれらの表面が堅牢にかつ導電性に互いに結合される。

Claim (excerpt)：

第1のステップで導電性にドープされた半導体材料から成る2つの基板(1)のそれぞれ1つの表面に、ドープされた範囲(2)の構造が作られ、第2のステップで基板が反対側の表面から薄くされ、第3のステップでこれらの表面が堅牢にかつ導電性に互いに結合されることを特徴とするパワー半導体デバイスの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/749 ,  H01L 21/332 ,  H01L 29/78

FI (6)：

H01L 29/78 658 K ,  H01L 29/74 X ,  H01L 29/74 Y ,  H01L 29/74 601 B ,  H01L 29/747 301 ,  H01L 29/78 655 Z