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J-GLOBAL ID：200903075950688128
半導体素子用パッケージ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小島 清路
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993119026
Publication number (International publication number)：1994310614
Application date： Apr. 21, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】低熱膨張のセラミックを基板部に用いた半導体素子用パッケージの気密封止部の気密性を改善する。【構成】窒化アルミニウムを主原料とするセラミック製の基板部10は、中央に半導体素子を収容する凹部11を設け、凹部を囲んで所定幅のメタライズ層12を設けている。また、メタライズ層の外側端に、メタライズ層及び基板部を覆う被覆層13が設けられる。メタライズ層上にろう材14を配置し、シールリング15を載置してろう付け処理する。このとき、シールリングと基板部の熱膨張差による熱応力がメタライズ層に集中するが、これによるメタライズ層の剥がれやメタライズ層から基板部内へのクラックの発生等が、被覆層によって防止される。また、シールリングに接合される金属製蓋体16と基板部との熱膨張差による影響も同様に被覆層によって防止される。
Claim (excerpt)：
中央に半導体素子を収容する凹部を設けると共に同凹部の周囲の平面上に所定幅のメタライズ層を設けたセラミック製の基板部と、前記メタライズ層上にろう付けされる金属製のシールリングと、同シールリング上に接着固定される金属製の蓋体とを設けてなる半導体素子用パッケージにおいて、前記メタライズ層の全周にわたってその両側端の少なくとも外側端に、前記セラミックと同一材質からなる被覆層を設けたことを特徴とする半導体素子用パッケージ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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