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J-GLOBAL ID：200903075952625557

化合物薄膜及びその形成法

Inventor： 木内 正人 ,  阿川 義昭 ,  高木 憲一
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  日本真空技術株式会社
Agent (2)： 工業技術院大阪工業技術研究所長 (外4名) ,  八木田 茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995103312
Publication number (International publication number)：1996296046
Application date： Apr. 27, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 化合物薄膜を構成する原子を十分に反応させつつ、所望の化合物薄膜を形成すること。【構成】 形成すべき化合物薄膜を構成する元素を含む気体状の分子または気化させた分子を、イオン化またはラジカル化によって励起し、基体上に供給し、各分子内に含まれる一部または全部の原子を反応させることから成る。

Claim (excerpt)：

基体上で、形成すべき化合物薄膜を構成する元素を含む気体状の分子または気化させた分子の励起分子の各々内に含まれる一部または全部の原子を反応させることによって形成したことを特徴とする化合物薄膜。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/32 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/32 B ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-014927
  
• 特開昭60-195941
  
• 特開平3-080531