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J-GLOBAL ID：200903075985430360
気相成長化合物半導体ウェーハの評価方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993033570
Publication number (International publication number)：1994252231
Application date： Feb. 23, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 気相成長化合物半導体ウェーハの評価を適切に行う。【構成】 Arレーザ4から第1の波長のレーザ光をウェーハ1面にパルス状に当てる過程と、前記第1の波長のレーザ光と共にHeNeレーザ5から第2の波長のレーザ光を前記ウェーハ1面に当てる過程と、前記ウェーハ1面における前記第2の波長のレーザ光の反射率の変化をPINダイオード3により前記ウェーハ1面内で読み取る過程と、を備える。
Claim (excerpt)：
第1の波長のレーザ光をウェーハ面にパルス状に当てる過程と、前記第1の波長のレーザ光と共に、第2の波長のレーザ光を前記ウェーハ面に当てる過程と、前記ウェーハ面における前記第2の波長のレーザ光の反射率の変化を前記ウェーハ面内で読み取る過程と、を備えることを特徴とする気相成長化合物半導体ウェーハの評価方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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