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J-GLOBAL ID：200903075985585577

AB効果素子

Inventor： 高井 大祐 ,  太田 邦一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993017144
Publication number (International publication number)：1994232418
Application date： Feb. 04, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高感度の磁界測定、ポテンシャル測定を行う。【構成】 ABリングの端子3より電子波が入射し節点5でリングの半円部1、2の二つのパスに分かれる。半円部1に入射した電子波は磁束Φと静電ポテンシャルVの両方から、半円部2に入った電子波は磁束Φのみから位相変調を受け、節点6で合成波を形成する。端子3、4間のコンダクタンスGの静電ポテンシャル依存性は磁束密度Bによって変化するので、コンダクタンスGの測定値と理論曲線のフィッティングによって磁束密度Bを決定する。磁場の測定に静電ポテンシャルを使うので測定系による干渉がなく高感度である。一方静電ポテンシャルはコンダクタンスの、リングを通過する磁束依存性を測定することで得られる。静電ポテンシャルの測定に磁場を使うので測定系による干渉がなく同様に高感度に測定ができる。

Claim (excerpt)：

電子の弾性散乱長の数倍程度までの長さの細線でリングを形成し、このリングの対称の位置に端子を設け、この二端子でリングを区切ったときの少なくとも片方のリングに静電ポテンシャルを印加し、電子波が端子からそれぞれリングの半環を伝搬するときに前記静電ポテンシャルの印加の有無で位相が変調される効果と、リングを通過する磁束によって位相差が変調される効果の両方の効果によって電子波の干渉効果を起こし、これによって端子間に流れる電流の変化を起こさせるAB効果素子であって、端子間のコンダクタンスの静電ポテンシャル依存性を測定することよってリングを通過する磁束強度を得ることを特徴とするAB効果素子。

IPC (3)：

H01L 29/804 ,  G01R 33/02 ,  G01R 33/035

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-234474
  
• 特開昭63-204660
  
• 特開平2-044735
  
• 特開平1-170046