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J-GLOBAL ID:200903076012340976
力センサ及び力検出装置並びに力検出方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西浦 ▲嗣▼晴
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002118471
Publication number (International publication number):2003315174
Application date: Apr. 19, 2002
Publication date: Nov. 06, 2003
Summary:
【要約】【課題】 従来の力センサよりも寸法が大幅に小さい力センサを提供する。【解決手段】 圧力や応力等の力の変化を電気信号の変化として出力する力センサの力検出素子として単電子トランジスタSETを用いる。力センサ1の出力を信号処理回路で処理する。信号処理回路を、振幅が所定の周期で変化する振幅変化電圧信号をゲート電極Gに供給する振幅変化電圧信号発生回路4と、ドレイン電極Dから出力される電流信号を電圧信号に変換して該電圧信号を力の変化に応じて位相が変化する力変化表示電圧信号として出力する電流/電圧変換回路3とから構成する。
Claim (excerpt):
力検出素子に加わる圧力、応力等の力の変化を電気信号の変化として出力する力センサであって、前記力検出素子が単電子トランジスタであることを特徴とする力センサ。
IPC (3):
G01L 1/18
, H01L 29/66
, H01L 29/84
FI (3):
G01L 1/18 B
, H01L 29/66 S
, H01L 29/84 Z
F-Term (5):
4M112AA01
, 4M112BA03
, 4M112CA41
, 4M112EA11
, 4M112FA20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
-
センサー
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-064142
Applicant:株式会社日立製作所
Article cited by the Patent:
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