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J-GLOBAL ID：200903076028658496

(Ba,Sr)TiO3薄膜の製造方法およびそれを用いた薄膜コンデンサ

Inventor： 藤井 映志 ,  鳥井 秀雄 ,  高山 良一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996142535
Publication number (International publication number)：1997326331
Application date： Jun. 05, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 (100)面に優先配向したペロブスカイト型結晶構造の高誘電率(Ba,Sr)TiO3薄膜の製造方法およびそれを用いた薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】 (Ba,Sr)TiO3薄膜を構成する元素を含む化合物の蒸気を原料ガスとし、反応ガスとしての酸素との混合ガスをプラズマ中で分解および化学反応させ、下地基板上に上記薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

バリウム含む化合物とストロンチウムを含む化合物とチタンを含む化合物の混合蒸気を原料ガスとし、排気手段を有する反応チャンバー内に設けた基板ホルダー上に、前記基板ホルダーに対して所定の傾斜角を持たせて配置した原料ガス供給手段によって、前記原料ガスとキャリアガスおよび反応ガスを導入し、前記基板ホルダーと電極の間に電力を供給してプラズマを発生させ、前記基板ホルダーに保持した所定温度の基板上にペロブスカイト型結晶構造の酸化物薄膜を形成することを特徴とする(Ba,Sr)TiO3薄膜の製造方法。

IPC (7)：

H01G 4/33 ,  C01G 23/00 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 ,  C30B 29/32 ,  H01G 4/12 400 ,  C30B 25/14

FI (7)：

H01G 4/06 102 ,  C01G 23/00 C ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 D ,  C30B 29/32 C ,  H01G 4/12 400 ,  C30B 25/14