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J-GLOBAL ID：200903076030976322

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 今 真人 ,  石▲崎▼ 守
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005316393
Publication number (International publication number)：2007123698
Application date： Oct. 31, 2005
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

【課題】Inを含まない環境負荷の小さい非単結晶酸化物半導体薄膜を活性層として形成した薄膜トランジスタとその製造方法を提供することである。【解決手段】フレキシブル基板上に、ZnGa2Ox(3≦x≦4)、またはSnGa2Ox(4≦x≦5)のいずれかからなる薄膜を、ZnGa2O4またはSnGa2O5からなるターゲットを用い、室温でスパッタリング法により成膜し、Inを含まない薄膜トランジスタの活性層を形成することで解決した。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ZnGa2Ox(3≦x≦4)薄膜からなる活性層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 14/08

FI (3)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  C23C14/08 K

F-Term (34)：

4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  5F110AA30 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33