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J-GLOBAL ID：200903076035834941

半導体装置の製造方法

Inventor： 米田 博之 ,  中野 雄司 ,  竹中 伸之 ,  川野 裕行 ,  広浜 和浩 ,  足立 浩一郎 ,  鈴木 克典
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992267381
Publication number (International publication number)：1993291212
Application date： Oct. 06, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【構成】 被加工基板1上に少なくとも一層の被エッチング膜5を形成し、被エッチング膜5を所定形状にパターニングする際、被エッチング膜5のエッチング面積の変化に応じてエッチング条件を変化させる半導体装置の製造方法。【効果】 ドライエッチングを行う場合、被エッチング膜5のエッチング面積の変化に応じて、エッチング条件を変化させることによって、エッチングガス中の堆積用ガスの側壁保護効果を高めて、凹凸の多い被加工素子基板1上にも寸法シフトが無く、微細で正確な加工を行うことが可能となる。

Claim (excerpt)：

被加工基板上に少なくとも一層の被エッチング膜を形成し、該被エッチング膜を所定形状にパターニングする際、前記被エッチング膜のエッチング面積の変化に応じてエッチング条件を変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/302 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-261828
  
• 特開平3-184332
  
• 特開昭58-147033
  
• 特開昭57-117241