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J-GLOBAL ID：200903076048554719

半導体放射線検出器の製造方法

Inventor： 岩瀬 義倫 ,  高村 秀人 ,  首藤 靖浩
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992358667
Publication number (International publication number)：1994204545
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】機械的な切断において、CdTeなどの化合物半導体結晶は割れやすく、また、結晶中に欠陥などを生じやすいため、検出特性を劣化させない機械的切断方法を提供する【構成】(a)CdTeを主成分とする化合物半導体からなる基板の主面上に電極を形成する工程と、(b)前記電極上に他の半導体基板を密着した状態で前記基板および電極を切断する工程とを順次行なう。

Claim (excerpt)：

(a)CdTeを主成分とする化合物半導体からなる基板の主面上に電極を形成する工程と、(b)前記電極上に他の半導体基板を密着した状態で前記基板および電極を切断する工程とを順次行なうことを特徴とする半導体放射線検出器の製造方法。

IPC (3)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14

FI (2)：

H01L 31/00 A ,  H01L 27/14 K