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J-GLOBAL ID：200903076052634972

研磨方法、研磨装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 大鳥居 英 ,  野上 毅 ,  佐藤 修三 ,  高橋 新吾 ,  駒井 尚紀 ,  田井 香織 ,  堀越 浩
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002152415
Publication number (International publication number)：2003347243
Application date： May. 27, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 研磨終点まで安定した電流密度分布で被研磨対象への通電を可能とするとともに、従来通りのメッキ装置や洗浄装置等他の装置の使用や製造プロセスフローの実施を可能とする。【解決手段】 一方主面に被研磨対象となるCu膜5が形成され、かつ外周面にCu膜5と連続した外周シード膜9が形成されたウェーハ基板1と対向電極17とを電解液中に所定の間隔をもって対向配置するとともに、ウェーハ基板1の外周側に配されるリテーナリング13の内周面に陽極16を配し、この陽極16に当接する外周シード膜9を介してCu膜5に通電する。このCu膜5への通電と同時に、Cu膜5表面にパッド14を摺動させて払拭し、Cu膜5の研磨を行う。

Claim (excerpt)：

一方主面に被研磨対象となる金属膜が形成され且つ外周面に上記金属膜と連続した外周金属膜が形成された基板と対向電極とを電解液中に所定の間隔をもって対向配置するとともに、上記基板の外周側に配されるリテーナリングの内周面に通電電極を配し、該通電電極に当接する上記外周金属膜を介して上記金属膜に通電し、上記基板をリテーナリングにて保持し、金属膜表面にパッドを摺動させて払拭して上記金属膜を研磨することを特徴とする研磨方法。

IPC (6)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/3063

FI (6)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 G ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 Z ,  B24B 37/04 E ,  H01L 21/306 L

F-Term (11)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AB04 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  5F043AA26 ,  5F043DD14 ,  5F043EE08 ,  5F043EE40 ,  5F043GG03