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J-GLOBAL ID：200903076066060227

電子ビーム蒸着多層ミラーを有する光デバイス

Inventor： デニス グレン デップ ,  ニロイ クマー ダッタ ,  アードマン フレデリック シュバート ,  リー-ウェイ ツー ,  ジョージ ジョン ヅィドヅィック
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992341862
Publication number (International publication number)：1993251819
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 垂直空胴面発光レーザの高性能ミラーを提供する。【構成】 少くとも一対の四分の一波長層を含む最上部ミラーを有する垂直面発光レーザを実現する。各対は低屈折率層及び高屈折率層から成り、高屈折率層は GaP及び ZnSから選択された半導体で、低屈折率層はボロシリケートガラス(BSG)、CaF2、MgF2及びNaF から選択される。垂直面発光レーザ中で特に有用なのは、 GaP/BSG又は ZnS/CdF2の複数の対の積層で形成されたミラーである。そのようなミラーはレーザの効率よい動作に必要な高反射特性をもつ。 GaP/BSG又は ZnS/CaF2ミラー構造は、最終的な反射率、低損失及び成長プロセス後の両立性という点で、VCSELの従来の設計より、かなりの改善を示す。

Claim (excerpt)：

III-VI族及びII-VI半導体から成るグループから選択された半導体材料を含み、レーザ空胴とそれに電界を印加するために、最上部及び底部金属電極を含み、前記レーザ空胴は底部ミラー、底部閉じ込め領域、活性領域、最上部閉じ込め領域及び最上部ミラーを含み、前記最上部ミラーは四分の一波長層の複数の対を含み、層の各対は低屈折率層から始り、交互に配置された低屈折率層及び高屈折率層から成る光デバイスにおいて、前記高屈折率層は GaP及びZnS から成るグループから選択された半導体で、前記低屈折率層はボロシリケートガラス(BSG)、CaF2、MgF2及びNaF から選択された材料のグループから選ばれた材料から成ることを特徴とする光デバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特許第1382401号