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J-GLOBAL ID:200903076068463680

面実装型半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994071450
Publication number (International publication number):1995254620
Application date: Mar. 16, 1994
Publication date: Oct. 03, 1995
Summary:
【要約】【目的】 組立工数が削減でき、薄形の面実装半導体装置を提供すること。【構成】 第1の導電型の単一の半導体基板の一方の面側に互いに離れて形成された第1の導電型とは逆の導電型の第2の導電型の第1、第2の半導体領域を有する半導体素子を、第1のリードフレームとこれから離れて配置される第2のリードフレームとを橋絡するようにこれらリードフレームに載置し、前記第1の半導体領域を第1のリードフレームに接続すると共に、前記第2の半導体領域を前記第1のリードフレームから独立した第2のリードフレームに接続し、これらリードフレームの一部を除く全体が樹脂で封止され一体化されていることを特徴とする面実装型半導体装置。
Claim (excerpt):
第1の導電型の単一の半導体基板の一方の面側に互いに離れて形成された第1の導電型とは逆の導電型の第2の導電型の第1、第2の半導体領域を有する半導体素子を、第1のリードフレームとこれから離れて配置される第2のリードフレームとを橋絡するようにこれらリードフレームに載置し、前記第1の半導体領域を第1のリードフレームに接続すると共に、前記第2の半導体領域を前記第1のリードフレームから独立した第2のリードフレームに接続し、これらリードフレームの一部を除く全体が樹脂で封止され一体化されていることを特徴とする双方向性の面実装型半導体装置。
IPC (7):
H01L 21/52 ,  H01C 7/10 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/48 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/866
FI (2):
H01L 29/90 Z ,  H01L 29/90 S
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 半導体素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-113838   Applicant:富士電機株式会社

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