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J-GLOBAL ID：200903076075791943

半導体ウェーハを選択的にマーキングする方法及び装置

Inventor： パトリック ディー. キニー ,  ユリ ウリツキー ,  ナガラジャ ラオ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998159810
Publication number (International publication number)：1999074163
Application date： May. 01, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ウェーハ解析システム(例えばSEMやAFM)が素早く欠陥を発見できるように、ウェーハ表面上の欠陥位置など、選択された位置においてウェーハを正確にマーキングする方法および装置を提供する。【解決手段】 本装置は、実質的に水平方向にウェーハを保持するウェーハプラテンと、そのプラテンの上方に取り付けられたマーキングアセンブリと、を備えている。このマーキングアセンブリは、光学顕微鏡とマーキングヘッドとを更に備えている。動作中、ユーザは、光学顕微鏡を使って欠陥の位置を特定し、その欠陥から所定の距離に一定のパターンの基準マーク、例えば欠陥を取り囲むダイヤモンドパターンになるように4個のマークを配置する。

Claim (excerpt)：

ウェーハ(102)をマーキングする装置であって、ウェーハ(102)を保持するウェーハプラテン(108)と、前記ウェーハプラテン(108)の上方に配置され、マーキングヘッド(116)を有するウェーハマーキングアセンブリ(104)と、前記ウェーハプラテン(108)および前記ウェーハマーキングアセンブリ(104)に結合され、前記ウェーハマーキングアセンブリ(104)の下方に前記ウェーハプラテン(108)を位置決めする駆動部アセンブリ(118、119、110)と、を備える装置。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/66

FI (2)：

H01L 21/02 A ,  H01L 21/66 A