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J-GLOBAL ID：200903076092025685

酸化物薄膜太陽電池

Inventor： 根上 卓之 ,  佐藤 ▲琢▼也 ,  島川 伸一 ,  林 茂生
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005154448
Publication number (International publication number)：2006332373
Application date： May. 26, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：

【課題】 ダイオードの漏れ電流を抑制できる酸化物薄膜太陽電池を提供する。 【解決手段】 透明電極(12)とp型酸化物半導体層(14)とを含む酸化物薄膜太陽電池(10)であって、透明電極(12)とp型酸化物半導体層(14)との間に介在するn型高抵抗層(13)を含むことを特徴とする酸化物薄膜太陽電池(10)とする。これにより、トンネル電流による電子と正孔との再結合を防止することができるため、ダイオードの漏れ電流を抑制できる。よって、本発明の酸化物薄膜太陽電池によれば、例えば開放電圧を向上させることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

透明電極とp型酸化物半導体層とを含む酸化物薄膜太陽電池であって、 前記透明電極と前記p型酸化物半導体層との間に介在するn型高抵抗層を含むことを特徴とする酸化物薄膜太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 E

F-Term (4)：

5F051AA07 ,  5F051CB15 ,  5F051DA20 ,  5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 酸化銅膜の堆積法及び該膜からなるヘテロ接合の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-353800   Applicant：キヤノン株式会社