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J-GLOBAL ID：200903076105394219
太陽電池
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994162543
Publication number (International publication number)：1995086625
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 化合物半導体層を複数層積層した太陽電池であって、前記複数層の化合物半導体層の外側のいずれかの部分の層に低融点ガラス層2,7を形成することにより、火事等の場合でもCdやSe等の重金属が空気中に飛散しない安全性の高い太陽電池とする。【構成】 ソーダ石灰ガラスの基板1の上に低融点ガラス2をコーティングし、その上にZnO等の透明導電膜3をスパッタ法で形成した。この上にn型窓層としてCdS膜4を蒸着した。さらにその上に光吸収層であるCuInSe2 膜5を形成し、この上に裏面電極層6としてAu膜を形成した。裏面電極膜6上に前記低融点ガラス2と同様な成膜条件で低融点ガラス膜7を10μmスパッタ蒸着し、これを金属フレームに収納する。低融点ガラスはPbO-B2 O3 -SiO2 -Al2 O3 系を用いた。
Claim (excerpt)：
化合物半導体層を複数層積層した太陽電池であって、前記複数層の化合物半導体層の外側のいずれかの部分の層に低融点ガラス層を形成したことを特徴とする太陽電池。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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