半導体集積回路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995043407
Publication number (International publication number)：1995273349
Application date： Feb. 07, 1995
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 pチャネル型(p-ch)およびnチャネル型(n-ch)の薄膜トランジスタ(TFT)を有する相補型の回路において、p-chTFTとn-chTFTのしきい値電圧の絶対値を概略等しくさせる方法を提供する。【構成】 p-chTFTのチャネル長もしくはゲイト電極の幅をn-chTFTのものに比較して20%以上短くすることによって、好ましくは、前者を後者の25〜80%とすることによって、p-chTFTのしきい値電圧の絶対値を低下せしめ、よって、p-chTFTのしきい値電圧をn-chTFTのものと概略等しくさせる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に形成されたNチャネル型およびPチャネル型の薄膜トランジスタを有する集積回路において、該Pチャネル型薄膜トランジスタのゲイト電極の幅が、該Nチャネル型薄膜トランジスタのゲイト電極の幅よりも、少なくとも20%小さいことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331

FI (3)：

H01L 29/78 311 C , H01L 27/08 321 C , H01L 27/08 321 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-289917
絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-115503 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-025076

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