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J-GLOBAL ID：200903076109895859
ウェット処理方法及び処理装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993337934
Publication number (International publication number)：1995201785
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ウェーハをコロイド状シリカを含む溶液を使ってポリッシングした後ウェーハ表面に残留するパーティクルを除去する。【構成】 純水に高電圧を印加することにより、水が負に帯電する(13)。この水はPH的には中性である。この電荷水を基板11上に残留するパーティクル12の除去に使う。パーティクル12は正に帯電しているので負に帯電した水に漬けることで除去できる。
Claim (excerpt)：
電荷を有する中性の水を被処理物の洗浄に用いることを特徴とするウェット処理方法。
IPC (5)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, B08B 3/10
, H01L 21/3063
Cited by examiner (6)
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