有機薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：吉武賢次 , 中村行孝 , 紺野昭男 , 横田修孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003078396
Publication number (International publication number)：2004288836
Application date： Mar. 20, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】しきい値電圧の増加やばらつき、ソース-ドレイン間電流値の低下やばらつきが少ない有機薄膜トランジスタ、および歩留まりの改良されたその有機薄膜トランジスタの製造方法の提供。【解決手段】有機半導体層と、前記有機半導体層内のチャネル領域上に形成されたゲート電極と、前記チャネル領域を挟むソース電極及びドレイン電極とを具備してなる有機薄膜トランジスタであって、前記ソース電極またはドレイン電極の表面領域と前記チャネル領域との間に硫黄原子を含有する電子供与性有機分子からなる薄膜層を有する、有機薄膜トランジスタ。前記有機薄膜トランジスタの電子供与性有機分子からなく薄膜層は、電子供与性有機分子をソース電極またはドレイン電極の表面に吸着させることにより製造する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電子供与性を有する結晶性有機半導体材料からなる有機半導体層と、前記有機半導体層内のチャネル領域上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極と、前記チャネル領域を挟むソース電極及びドレイン電極とを具備してなる有機薄膜トランジスタであって、前記ソース電極またはドレイン電極の表面領域と前記チャネル領域との間に硫黄原子を含有する電子供与性有機分子からなる薄膜層を有し、前記電子供与性有機分子がソース電極またはドレイン電極の表面領域に吸着されていることを特徴とする、有機薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (4)：

H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L29/78 616K , H01L29/28

F-Term (58)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104FF13 , 4M104HH08 , 4M104HH15 , 5F110AA05 , 5F110CC03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK42 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-192841 Applicant：大阪瓦斯株式会社
有機TFT装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-051247 Applicant：コニカ株式会社

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