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J-GLOBAL ID：200903076132804666
フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997108271
Publication number (International publication number)：1998284806
Application date： Apr. 10, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】活性層の垂直方向に加えて、活性層面内全方向にも自然放出光を制御する構造を備えて低閾値で低消費電力の動作を可能とするフォトニックバンド構造を有する垂直共振器半導体レーザである。【解決手段】フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザは、化合物半導体から形成されてなる垂直共振器レーザである。活性層を含む半導体層11に二次元屈折率周期構造21、22を備えることで、活性層を含む半導体層11面内には発光波長に対して光学的伝播禁止帯が形成されている。活性層を含む半導体層11を挟んで一対の多層干渉膜12、13からなる反射鏡が形成されていて、光共振器が活性層の垂直方向に形成されている。
Claim (excerpt)：
化合物半導体から形成されてなる垂直共振器レーザであって、活性層を含む半導体層に二次元屈折率周期構造を備えていることで、活性層を含む半導体層面内には発光波長に対して光学的伝播禁止帯(フォトニックバンドギャップ)が形成されていて、且つ、該活性層を含む半導体層を挟んで一対の多層干渉膜からなる反射鏡が向かい合わさって形成されていることで、光共振器が該活性層の垂直方向に形成されていることを特徴とするフォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
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