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J-GLOBAL ID：200903076135108571

窒化インジウムガリウム半導体の成長方法

Inventor： 中村 修二 ,  向井 孝志
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993106557
Publication number (International publication number)：1994209122
Application date： May. 07, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高品質で結晶性に優れたInGaNを再現性良く得る成長方法を提供する。【構成】 有機金属気相成長法により、一般式InαGa1-αN(但し、αは0<α<0.5の範囲である。)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させる方法であって、成長温度(°C)をX軸、成長速度(オングストローム/分)をY軸として、添付図1のa(650,1)、b(650,5)、c(900,60)、d(900,1)の各座標で囲まれた領域内の条件で、窒化ガリウムの上に成長させる。

Claim (excerpt)：

有機金属気相成長法により、一般式InαGa1-αN(但し、αは0<α<0.5の範囲である。)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させる方法であって、成長温度(°C)をX軸、成長速度(オングストローム/分)をY軸として、添付図1のa(650,1)、b(650,5)、c(900,60)、d(900,1)の各座標で囲まれた領域内の条件で、窒化ガリウムの上に成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205