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J-GLOBAL ID：200903076160001706

単結晶シリコン積層構造体の無歪み接合方法

Inventor： 金丸 昌敏 ,  小出 晃 ,  河野 顕臣
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995004694
Publication number (International publication number)：1996195333
Application date： Jan. 17, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】マイクロマシンに関する複雑な三次元微小構造体をウェハサイズで高精度に接合させるための接合方法を提供する。【構成】シリコン単結晶基板に任意の構造体を形成し、それらの基板をクラス100以下のクリーンルーム内で貼り合わせて任意の数だけ積層し、その後、電気炉の中で、200°Cから600°Cの温度範囲で、積層された最外層のウェハの片面から、気体もしくは液体を含む加圧材の圧力を印加して加圧し、仮接合を行う第一の工程および高温でしかも無加圧で900°C以上の温度で積層シリコンウェハを接合する第二の工程を行う無歪み接合方法。

Claim (excerpt)：

構造体が形成された単結晶シリコン基板もしくは構造体が形成されていない単結晶シリコン基板を複数枚組み合わせて積層し、積層接合を行う接合方法において、積層シリコン基板を低温で加圧し、積層シリコン基板を仮接合する第一の工程および高温で、無加圧で積層シリコン基板を本接合する第二の工程を用いて接合することを特徴とする単結晶シリコン積層構造体の無歪み接合方法。