Pat

J-GLOBAL ID：200903076162408757

電界電子放出素子およびその作製方法

Inventor： 田 透
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996104466
Publication number (International publication number)：1997270227
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 FE型電子放出素子の動作駆動時に、安定で、十分な電子放出量のある高効率、高性能とすることを課題とする。【解決手段】 電界電子放出素子において、エミッタ部とアノード部を有し且つエミッタ部に少なくともダイヤモンドとフラーレンを有していることを特徴とする。また、前記フラーレンがC60もしくはC70であることを特徴とする。ダイヤモンド、フラーレン、グラファイトの順に接合されていることを特徴とする。また、上記フラーレンが重合していることを特徴とする。さらに、ダイヤモンドが薄膜であることを特徴とする。加えて、ダイヤモンドが微粒子であることを特徴とする。上記電子放出素子を作製する際、少なくともフラーレンを1GPa以上の圧力で処理することを特徴とする。また、上記電子放出素子を作製する行程において、エミッターの表面をプラズマで処理することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

電界電子放出素子においてエミッタ部とアノード部を有し、且つ前記エミッタ部に少なくともダイヤモンドとフラーレンを有していることを特徴とする電界電子放出素子。

IPC (4)：

H01J 1/30 ,  G09G 3/22 ,  H01J 9/02 ,  H01L 49/00

FI (4)：

H01J 1/30 A ,  G09G 3/22 ,  H01J 9/02 B ,  H01L 49/00