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J-GLOBAL ID：200903076166744255

プラズマアドレス表示装置

Inventor： 谷野 友哉
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993059666
Publication number (International publication number)：1994118392
Application date： Feb. 24, 1993
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 プラズマアドレス表示装置の放電空間構造を改良し機械的強度を高めて大型化を可能にする。【構成】 プラズマアドレス表示装置は上側基板1、中間基板2及び下側基板3を順に積層した構造を有している。上側基板1と中間基板2の間に液晶セル4が形成される。又、中間基板2と下側基板3の間にプラズマセル5が形成される。プラズマセル5はストライプ状に分割された放電領域を線順次で活性化し液晶セル4のアドレッシングを行なう。この放電領域は、ストライプ状の溝6が形成された中間基板2の主面と下側基板3の対向する主面とを互いに重ね合わせて設けられたストライプ状の空間からなる。

Claim (excerpt)：

上側基板と中間基板の間に形成された表示セルと、中間基板と下側基板の間に形成されたプラズマセルとの積層構造からなり、ストライプ状に分割された放電領域を線順次で活性化し表示セルのアドレッシングを行なうプラズマアドレス表示装置において、前記放電領域はストライプ状の溝が形成された中間基板の主面と下側基板の対向する主面とを互いに重ね合わせて設けられたストライプ状の空間からなる事を特徴とするプラズマアドレス表示装置。