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J-GLOBAL ID:200903076173439719
高周波増幅器
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
草野 卓 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993016274
Publication number (International publication number):1994232657
Application date: Feb. 03, 1993
Publication date: Aug. 19, 1994
Summary:
【要約】【目的】 一つのFETを、二つの帯域の高効率増幅に切替え利用する。【構成】 入力端子11とFET13のベースとの間にマイクロストリップライン26が接続され、ライン26にコンデンサ27,28と可変容量ダイオード29,31とをそれぞれ通じてスタブ32,33が接続される。制御端子24の制御信号でダイオード29の容量を大とし、スタブ32をライン26に結合した状態でFET13の入力インピーダンスと帯域Aで整合するようになし、制御端子25の制御信号でダイオード31の容量を大として、スタブ33をライン26に結合した状態でFET13の入力インピーダンスと帯域Bで整合するようにする。図に示していないがFET13のドレインに、その出力インピーダンスと、帯域Aの基本波と第2高調波とで整合する状態と、帯域Bの基本波と第2高調波とで整合した状態とにダイオードスイッチで切替えられる出力整合回路が接続される。更に同様に帯域Aの第2高調波に対する短絡終端と、帯域Bの第2高調波に対する短絡終端と切替えられる位相調整回路が接続される。
Claim (excerpt):
高周波信号の入力端子と、その入力端子に接続された入力整合回路と、その入力整合回路の出力側に接続され、高周波信号の増幅を行う半導体増幅素子と、その半導体増幅素子の出力側に接続され、上記高周波信号の基本波及び第2高調波の両方に整合をとった出力整合回路と、その出力整合回路の出力側に接続され、上記第2高調波を短絡終端させる位相調整回路と、その位相調整回路の出力側に接続された高周波信号の出力端子とを具備し、上記入力整合回路は、上記入力端子と上記半導体増幅素子との間に第1高周波ラインが接続され、その第1高周波ラインにダイオードスイッチを介して少くともスタブが接続されて第1リアクタンス回路が構成され、上記第1高周波ラインに少くともスタブが接続されて第2リアクタンス回路が構成されてなり、上記出力整合回路は、上記半導体増幅素子と上記位相調整回路との間に第2高周波ラインが接続され、その第2高周波ラインにダイオードスイッチを介して少くともスタブが接続されて第3リアクタンス回路が構成され、上記第2高周波ラインに少くともスタブが接続されて第4リアクタンス回路が構成されてなり、上記位相調整回路は、上記出力整合回路と上記出力端子との間に第3高周波ラインが接続され、その第3高周波ラインにダイオードスイッチを介して少くともスタブが接続されて第5リアクタンス回路が構成され、上記第3高周波ラインにダイオードスイッチを介して少くともスタブが接続されて第6リアクタンス回路が構成されてなり、上記第1リアクタンス回路及び上記第3リアクタンス回路は第1周波数帯でインピーダンス整合作用をなし、上記第2リアクタンス回路及び上記第4リアクタンス回路は第2周波数帯でインピーダンス整合作用をなし、上記第5リアクタンス回路は上記第1周波数帯で第2高調波短絡終端作用をなし、上記第6リアクタンス回路は上記第2周波数帯で第2高調波短絡終端作用をなすようにそれぞれ構成されている、高周波増幅器。
Patent cited by the Patent: