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J-GLOBAL ID：200903076185577459

プラズマ処理装置

Inventor： 竹井 日出夫 ,  浮島 禎之 ,  池田 智 ,  崎尾 進 ,  石橋 暁
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック
Agent (2)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002353395
Publication number (International publication number)：2004186531
Application date： Dec. 05, 2002
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：

【課題】処理速度が大きく、均一性の高いプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明のプラズマ処理装置4では、複数のμ波アンテナ711〜714を処理対象物8に対向して配置し、μ波アンテナ711〜714の近くの第一の導入口751〜754からプラズマ用ガスを導入し、μ波アンテナ711〜714と処理対象物8の間の位置の第二の導入口761〜765から反応性ガスを導入する。処理対象物8表面を効率よくプラズマ処理することができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

真空槽と、 前記真空槽内に位置する複数のμ波アンテナと、 前記真空槽内に第一のガスを導入する第一の導入口とを有し、 前記各μ波アンテナからμ波を放射し、前記第一のガスのプラズマを生成し、前記各μ波アンテナと対向する処理位置に配置された成膜対象物を処理するプラズマ処理であって、 前記第一のガスとは異なる第二のガスを導入する第二の導入口が、前記第一の導入口と前記処理位置の間の位置に配置されたプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

FI (3)：

H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/302 101D

F-Term (33)：

4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030KA02 ,  4K030KA28 ,  4K030KA30 ,  4K030KA45 ,  4K030LA11 ,  5F004AA01 ,  5F004BA16 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AD05 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EE14 ,  5F045EF08 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH06 ,  5F045EJ03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマ発生装置およびその動作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-013962   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-025574