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J-GLOBAL ID：200903076210671619
磁界センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994032574
Publication number (International publication number)：1995244137
Application date： Mar. 02, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 磁気インダクタンス素子を使用して外部磁界を検出する磁界センサに関し、正確な磁界検出を行う。【構成】 互いに逆方向のバイアス磁界-HB,+HB を印加されてなる磁気インダクタンス素子MI1,MI2 と、磁気インダクタンス素子MI1,MI2 のインピーダンス変化に応じて振幅が変化する発振信号VE1,VE2 を生成するマルチバイブレータ21と、発振信号VE1 とVE2 との差信号を増幅して、磁気インダクタンス素子MI1,MI2 に印加される外部磁界HEXに応じた増幅信号VOUT を得る差動増幅器11とを具備する構成。
Claim (excerpt)：
互いに逆方向のバイアス磁界を印加されてなる第1及び第2の磁気インダクタンス素子と、該第1及び第2の磁気インダクタンス素子のインピーダンス変化に応じて振幅が変化する第1及び第2の発振信号を生成する発振手段と、該第1の発振信号と該第2の発振信号との差信号を増幅して、該第1及び第2の磁気インダクタンス素子に印加される外部磁界に応じた増幅信号を得る増幅手段とを具備した磁界センサにおいて、該増幅手段の入力インピーダンスをハイインピーダンスとしたことを特徴とする磁界センサ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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