Pat

J-GLOBAL ID：200903076219662930

ダイヤモンド放熱部品を備えた半導体レーザ

Inventor： 吉田 健太郎 ,  今井 貴浩 ,  熊澤 佳明
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997197886
Publication number (International publication number)：1999026887
Application date： Jul. 07, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【目的】 放熱性に優れ半導体レーザチップに熱応力を生じないダイヤモンド製のヒートシンクを備えた高出力で安定して発振する半導体レーザを与えること。【構成】 板状の基体の上に膜厚3μm〜9μmの気相合成ダイヤモンド層を形成し表面をメタライズ層で覆い、その上に2μm〜8μmの厚みのロウ材によって半導体レーザチップを固定する。

Claim (excerpt)：

板状の基体と、基体の表面に形成された膜厚が3μm〜9μmの気相合成ダイヤモンド層と、少なくともダイヤモンド層の表面の一部を覆うように設けられるメタライズ層と、ダイヤモンド層、メタライズ層の上に厚み2μm〜8μmのロウ材によって固定された半導体レーザチップとよりなることを特徴とするダイヤモンド放熱部品を備えた半導体レーザ。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/043

FI (4)：

H01S 3/18 ,  C30B 29/04 X ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/04 S