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J-GLOBAL ID：200903076221144190
量子井戸型半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993116782
Publication number (International publication number)：1994334265
Application date： May. 19, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 量子井戸型半導体レーザの特性を向上する。【構成】 量子井戸構造の活性層4に接して配置された、相互に組成の異なる半導体層を交互に複数層積層してなり、上記半導体層の組成,層厚,及び積層数が、上記活性層内に注入されるキャリアに対して材料固有のエネルギー障壁よりも高いエネルギー障壁を形成し、かつ活性層近傍の屈折率分布が電界を活性層部分に集中させる屈折率分布となるように調整された、多重量子障壁(MQB)構造の光閉じ込め層3,5を備えた構成とした。【効果】 活性層内への光の閉じ込め量を増大できるとともに、MQBの電子波干渉効果により、キャリアの光閉じ込め層へのオーバーフローを抑制でき、これにより、しきい値の低減,外部量子効率の向上,動特性の向上が図れる。
Claim (excerpt)：
量子井戸構造の活性層を有する量子井戸型半導体レーザにおいて、上記量子井戸構造の活性層に接して配置された、相互に組成の異なる半導体層を交互に複数層積層してなり、上記半導体層の組成,層厚,及び積層数が、上記活性層内に注入されるキャリアに対して材料固有のエネルギー障壁よりも高いエネルギー障壁を形成し、かつ活性層近傍の屈折率分布が電界を活性層部分に集中させる屈折率分布となるように調整された、多重量子障壁構造の光閉じ込め層を備えたことを特徴とする量子井戸型半導体レーザ。
IPC (2)：
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