半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006144468
Publication number (International publication number)：2007317794
Application date： May. 24, 2006
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：

【課題】窒化物半導体を用いたHEMTにおいて、GaNキャップ層を設けたエピタキシャル構造を用いる場合に、耐圧の低下などの問題を伴うことなく接触抵抗を低減する。【解決手段】半導体装置は、AlxInyGa1-x-yN(0≦x<1,0≦y<1)からなる層を含むチャネル層1の上側にAlzGa1-zN(0≦z≦1)からなる層を含む電子供給層2、およびGaNキャップ層3が形成され、バンドギャップが「チャネル層1<電子供給層2」となる構成であり、チャネル層1と電子供給層2とがヘテロ接合されている窒化物半導体を用いたヘテロ接合HEMTであって、ゲート電極10形成領域以外の一部の領域に不純物濃度が1×1018cm-3以上となるn型領域4が、チャネル層1に達する深さまで形成され、n型領域4の一部を覆うようにソース電極6、ドレイン電極7が形成されている。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

AlxInyGa1-x-yN(0≦x<1,0≦y<1)からなる層を含むチャネル層の上側にAlzGa1-zN(0≦z≦1)からなる層を含むキャリア供給層が形成され、さらにその上側にGaNキャップ層が形成され、前記チャネル層のバンドギャップが前記キャリア供給層のバンドギャップより小さくなるようなx,y,zの構成であり、前記チャネル層と前記キャリア供給層とがヘテロ接合されている窒化物半導体を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、ゲート電極形成領域以外の少なくとも一部の領域に選択的に不純物濃度が1×1018cm-3以上となるn型領域が形成され、前記n型領域の少なくとも一部に接触するようにソース電極およびドレイン電極が形成された、半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/265

FI (4)：

H01L29/80 H , H01L29/80 F , H01L21/265 601H , H01L21/265 601A

F-Term (20)：

5F102FA00 , 5F102FA03 , 5F102FA08 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR11 , 5F102GT05 , 5F102GT06 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC19 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化物半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-125323 Applicant：新日本無線株式会社
半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-243330 Applicant：株式会社東芝
半導体電子デバイス及び半導体電子デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-350469 Applicant：古河電気工業株式会社

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