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J-GLOBAL ID：200903076233126260

薄膜形成方法

Inventor：
田邉 浩

About 田邉 浩


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999367548
Publication number (International publication number)：2001179167
Application date： Dec. 24, 1999
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】 原材料をあらかじめ選択的に基板上に供給することにより、使用する原材料の量を削減し、且つ、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省いて製造工程の簡略化を図る。【解決手段】 流動性原料を液滴102として所定の方向に複数回吐出、飛翔させて選択的に基板101上に塗布し液体パターン103を形成する工程と、その液体パターン103を固化して薄膜パターン104に形成する工程と、薄膜パターン104にレーザを照射して結晶化膜106に形成する工程とから成る、シリコン系半導体膜及び酸化シリコン系絶縁体膜等を形成する薄膜形成方法。リソグラフィ工程及びエッチング工程の省略による製造工程の簡略化と使用材料の量の削減とを図る。
Claim (excerpt)：
流動性原料を選択的に基板上に塗布して所望のパターンを形成する工程と、該所望のパターンを基板上に固化して固化パターンを形成する工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (5)：
B05D 1/02 ,  B05D 7/00 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (7)：
B05D 1/02 Z ,  B05D 7/00 H ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 21/31 A ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 C ,  H01L 21/316 B
F-Term (44)：
4D075AA04 ,  4D075BB02Z ,  4D075BB72Z ,  4D075BB92Z ,  4D075CA47 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EA45 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045BB01 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045EB02 ,  5F045EB20 ,  5F045HA16 ,  5F045HA17 ,  5F045HA24 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053HH01 ,  5F053LL10 ,  5F053PP20 ,  5F053RR05 ,  5F053RR13 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF23 ,  5F058BF46 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04 ,  5F058BH03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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