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J-GLOBAL ID：200903076241730150

電界放出形表示素子

Inventor： 伊藤 茂生 ,  山浦 辰雄
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 西村 教光 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999046487
Publication number (International publication number)：2000251783
Application date： Feb. 24, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【目的】カーボンナノチューブ等の仕事関数が小さい電界放出素材をエミッタに用いた薄型・高電圧のFEDを提供する。【構成】電界放出形表示素子1は、対面するカソード基板3とアノード基板4の外周の間を封止して内部を高真空雰囲気に保持した外囲器2を有する。カソード基板の内面には、カソード電極5と、抵抗層6と、カーボンナノチューブのエミッタ8がある。アノード基板の内面には蛍光体層10とメタルバック層11からなるアノード9がある。アノードとカソードの間には、アノードの電界によるエミッタからの電子の放出を選択的に抑制するシールド電極12がある。カソード電極とシールド電極はマトリクスを構成する。カソード電極に対してアノード9に常時正電位を印加し、所望のカソード電極の電位を0にし、所望のシールド電極の電位を正にする。所望のカソード電極とシールド電極で選択された位置にあるエミッタ8から電界電子が放出される。

Claim (excerpt)：

対面するカソード基板とアノード基板の外周の間を封止して内部を高真空雰囲気に保持した外囲器と、前記カソード基板の内面に形成されたカソード電極と、前記カソード電極に導通して設けられた電界放出素材からなるエミッタと、蛍光体層を形成したアノードと、前記エミッタと前記アノードの間に設けられ、前記エミッタからの電子の放出を選択的に抑制するシールド電極とを備えた電界放出形表示素子。

IPC (3)：

H01J 31/12 ,  H01J 29/46 ,  G09G 3/28

FI (3)：

H01J 31/12 C ,  H01J 29/46 B ,  G09G 3/28 N

F-Term (21)：

5C036EE01 ,  5C036EE03 ,  5C036EE16 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EG15 ,  5C036EG48 ,  5C036EH06 ,  5C036EH08 ,  5C080AA08 ,  5C080BB05 ,  5C080CC03 ,  5C080DD10 ,  5C080DD26 ,  5C080FF10 ,  5C080HH17 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK02 ,  5C080KK43