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J-GLOBAL ID：200903076246514170
電界効果トランジスタの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991294734
Publication number (International publication number)：1993136179
Application date： Nov. 12, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 ゲート・ドレイン間の電界を緩和し、耐圧の高い電界効果トランジスタを製造する。【構成】 断面T型のゲート電極11を有する電界効果トランジスタの製造において、フォトレジスト膜を積層して形成し、これらのフォトレジスト膜上面のフォトレジスト膜にゲート電極頂部形成用開孔を形成し、この開孔の底面の一部にドレイン電極よりもソース電極に偏倚近接させて実効的ゲート電極形成用開孔を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にフォトレジスト膜を積層して形成する工程と、前記フォトレジスト膜の上面のフォトレジスト膜に断面T型のゲート電極形成のためのゲート電極頂部形成用開孔を形成する工程と、前記開孔の底面の一部にドレイン電極よりもソース電極に偏倚近接させて実効的ゲート電極形成用開孔を形成する工程と、ゲート電極形成用金属を蒸着し前記両開孔を埋めるとともにリフトオフによってゲート電極を形成する工程と、オーム性電極となる金属の蒸着を施し前記ゲート電極をマスクにソース電極とドレイン電極を形成する工程を含む電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/50
