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J-GLOBAL ID:200903076247008847

固体撮像装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 四宮 通
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998015044
Publication number (International publication number):1999204769
Application date: Jan. 09, 1998
Publication date: Jul. 30, 1999
Summary:
【要約】【課題】 固体撮像装置へ直接入射する光量の変化をリアルタイムで検出して素子外部へ出力する。【解決手段】 フォトダイオード1は、入射光に応じた電荷を生成して蓄積する。接合型電界効果トランジスタ2は、ゲート領域15に受け取った電荷に応じた信号を出力する。転送ゲート3は、フォトダイオード1から電荷をゲート領域15に転送する。リセットドレイン4は、ゲート領域15の電荷を排出させるとともにゲート領域15の電位を制御する。また、リセットドレイン4は、遮光膜を兼ねるリセットドレイン配線24の開口24aからの入射光に応じた電荷を生成するように形成される。ゲート領域15及びリセットドレイン4を主電極としゲート5,5aを制御電極とするスイッチング素子9,9aのオン・オフにより、リセットドレイン配線24とゲート領域15及びリセットドレイン4との間の接続状態が定まる。
Claim (excerpt):
1次元状に配列された複数の光電変換部であって、各々が入射光に応じた信号電荷を生成して蓄積する複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部に対応して設けられた複数の増幅部であって、各々が、制御領域を有し該制御領域の電荷に応じた信号出力を生ずる複数の増幅部と、前記複数の光電変換部に対応して設けられた複数の転送部であって、前記複数の光電変換部でそれぞれ生成されて蓄積された信号電荷を前記複数の増幅部の前記制御領域にそれぞれ転送する複数の転送部と、配線と、前記複数の増幅部に対応して設けられた複数の半導体領域と、前記複数の半導体領域と前記複数の増幅部の前記制御領域との間の電気的な接続及び遮断を制御する複数のスイッチング素子であって、各々が、前記複数の半導体領域のいずれかと前記複数の増幅部のいずれかの前記制御領域とをそれぞれ主電極領域とする複数のスイッチング素子と、を備え、前記複数の半導体領域のうちの少なくとも1つの半導体領域は、入射光に応じた信号電荷を生成するように形成され、前記複数のスイッチング素子が導通状態にある場合には、前記複数の増幅部の前記制御領域及び前記少なくとも1つの半導体領域が前記配線に対して電気的接続された状態となり、前記複数のスイッチング素子が遮断状態にある場合には、前記複数の増幅部の前記制御領域が前記配線に対して電気的に遮断された状態となる、ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2):
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2):
H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E

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