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J-GLOBAL ID：200903076249121829

n型窒化物半導体の電極

Inventor： 妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995224913
Publication number (International publication number)：1997069623
Application date： Sep. 01, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【目的】 第一にn型窒化物半導体と好ましいオーミック接触が得られ、第二にワイヤーと強固に接着できる信頼性の高いn電極を提供する。【構成】 n型窒化物半導体にオーミック接触が得られた電極であって、その電極がチタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)若しくはタングステン(W)より選択された少なくとも一種よりなる第一の電極材料と、シリコン(Si)若しくはゲルマニウム(Ge)より選択された少なくとも一種よりなる第二の電極材料とを含み、好ましくは第三の電極材料に金(Au)を含む。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体にオーミック接触が得られた電極であって、その電極がチタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)若しくはタングステン(W)より選択された少なくとも一種よりなる第一の電極材料と、シリコン(Si)若しくはゲルマニウム(Ge)より選択された少なくとも一種よりなる第二の電極材料とを含むことを特徴とするn型窒化物半導体の電極。

IPC (4)：

H01L 29/43 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (7)：

H01L 29/46 H ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/46 A ,  H01L 29/46 G ,  H01L 31/10 H