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J-GLOBAL ID:200903076256756430
高電圧発生装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997008542
Publication number (International publication number):1998208489
Application date: Jan. 21, 1997
Publication date: Aug. 07, 1998
Summary:
【要約】【課題】 負荷の大きさに応じて昇圧能力を変化させることのできる高電圧発生装置を提供する。【解決手段】 電源電圧を昇圧することにより高電圧を生成し、負荷9に供給するチャージポンプ1と、チャージポンプ1起動の時間を計測し所定時間後に信号S/Hを出力するタイマ11と、信号S/Hを入力することによってチャージポンプ1の出力電圧をディジタル変換し、4ビットのバイナリデータを出力するA-D変換器13と、電源ノードとNチャネルMOSトランジスタNT1のドレイン間に並列に接続されゲートにはA-D変換器13から出力されるディジタル値が入力される4つのPチャネルMOSトランジスタPT1〜PT4を含む電流制限回路15とを備える。
Claim (excerpt):
電源電圧を昇圧することにより高電圧を生成し、負荷に供給する高電圧生成手段と、前記負荷の大きさを見積もる負荷見積り手段と、前記負荷見積り手段によって見積もられた前記負荷の大きさに応じて前記高電圧生成手段の昇圧能力を制御する昇圧能力制御手段とを備える高電圧発生装置。
IPC (2):
FI (2):
G11C 17/00 632 A
, H02M 3/07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-018481
Applicant:三菱電機株式会社
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上昇率を制御するチャージ・ポンプ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-040586
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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正電源
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-262494
Applicant:アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
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半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-349524
Applicant:株式会社東芝
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特開平2-156565
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半導体集積回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-302074
Applicant:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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内部電圧発生回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-040705
Applicant:三菱電機株式会社
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