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J-GLOBAL ID：200903076266902265

電子放出素子の製造方法

Inventor： 薄田 真人 ,  萩原 淳 ,  長野 克人 ,  濱田 宗光
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993281462
Publication number (International publication number)：1995134940
Application date： Nov. 10, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 エミッタ基体の表面にエミッタ基体材料より低い仕事関数を有する化学的に安定な導電性被膜を有する電子放出素子化の製造方法を提供する。【構成】 表面に被膜のないエミッタ基体9を作製した後に、エミッタ基体が設けられている表面に炭化、窒化、ホウ化等の処理をして、金属よりなるエミッタ基体の表面に、炭化、窒化、ホウ化物等の被膜11を設ける。

Claim (excerpt)：

エミッタ基体の表面が、前記エミッタ基体を構成する金属材料より低い仕事関数を有する化学的に安定な導電性材料で被覆されている電子放出素子の製造方法において、前記エミッタ基体の表面に炭化、窒化、ホウ化のいずれか1種または2種以上の処理をしてエミッタ基体材料より低い仕事関数を有する化学的に安定な導電性被膜を前記エミッタ基体の表面に形成する電子放出素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-332423