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J-GLOBAL ID：200903076267169367

一括消去型不揮発性メモリ

Inventor： 新島 秀人 ,  豊岡 孝資
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993050247
Publication number (International publication number)：1994274409
Application date： Mar. 11, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】一括消去型不揮発性メモリを用いる半導体ディスク装置の、電源断等の障害に対する耐性を高めること。【構成】一括消去型不揮発性メモリは、複数個のセクタを含み、各セクタに自身の属性を識別するための属性情報が書き込まれる。クラスタ情報セクタは原則としてその属するクラスタの先頭に置かれる。また、データ・セクタはクラスタの先頭以外の領域であるデータ・エリアに置かれる。メモリに接続されたコントローラは、クラスタ消去時にはデータ・エリアにクラスタ情報コピー・セクタを作成し、クラスタ初期化時にはクラスタ情報コピー・セクタからクラスタ管理情報を再構成し、クラスタ情報セクタを作成する。

Claim (excerpt)：

複数個のセクタを含み、各セクタに自身の属性を識別するための属性情報が書き込まれることを特徴とする一括消去型不揮発性メモリ。

IPC (3)：

G06F 12/00 599 ,  G06F 12/16 340 ,  G11C 16/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-197318   Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
• 特開平2-185766