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J-GLOBAL ID：200903076270896989

フォトマスクブランク及びフォトマスクブランクにおけるパーティクルの発生低減方法

Inventor： 金子 英雄 ,  稲月 判臣 ,  塚本 哲史 ,  丸山 保 ,  品川 勉 ,  岡崎 智
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002051469
Publication number (International publication number)：2003255515
Application date： Feb. 27, 2002
Publication date： Sep. 10, 2003
Summary：

【要約】【解決手段】 露光光に対して透明な基板上に遮光膜又は位相シフト膜を形成したフォトマスクブランクにおいて、フォトマスクブランクの側面に付着したの膜の最大膜厚が、遮光膜又は位相シフト膜の平均膜厚の1/20以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。【効果】 本発明のフォトマスクブランクは、フォトマスクブランクの側面の膜厚が薄いため、搬送等による膜の剥離が少ない高品質なフォトマスクブランクを得ることができ、これによりフォトマスク作製時のパターン欠陥を低減することができる。

Claim (excerpt)：

露光光に対して透明な基板上に遮光膜又は位相シフト膜を形成したフォトマスクブランクにおいて、フォトマスクブランクの側面に付着したの膜の最大膜厚が、遮光膜又は位相シフト膜の平均膜厚の1/20以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。

F-Term (1)：

2H095BC26