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J-GLOBAL ID:200903076278094202

マクロ粒子ポリシリコン基板上に製造される電界放出構造

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田澤 博昭 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993134193
Publication number (International publication number):1994060795
Application date: May. 13, 1993
Publication date: Mar. 04, 1994
Summary:
【要約】【目的】 本発明はディスプレイおよび集積回路を含む他のデバイスに有用な電子放出アレーを提供することを目的とする。【構成】 本発明においては、アレーは比較的厚い半導体基板(11)を含み、半導体基板(11)はマクロ粒子基板(11)であり、基板はイオン注入により非晶化、再結晶により再形成、または水素化により不動態化されて粒子境界(1)が覆われ、その後冗長な回路部品(2,4)がその上に製造され、製品歩留りをさらに高めることができる。
Claim (excerpt):
少なくとも1つの受動回路部品(3,5,6,7)および能動回路部品(2,4)を含む回路がその上に配置されるマクロ粒子(1)を含む集積回路形成用基板。
IPC (2):
H01J 1/30 ,  H01J 9/02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭63-170971
  • 特開平3-225721

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